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?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
BAV23S Rev. E
BAV23S Small Signal Diode
tm
September 2006
BAV23S
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
250
V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current
200
mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 microsecond
Pulse Width = 100 microsecond
9.0
3.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature
150
°C
Symbol
Parameter
Value
Unit
PD
Power Dissipation
350
mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient*
357
°C/W
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR
= 100
μA
250
V
VF
Forward Voltage
IF
= 100mA
IF
= 200mA
1.0
1.25
V
V
IR
Reverse Leakage
VR
= 250V
VR
= 250V, T
A
= 150
°C
100
100
nA
μA
trr
Reverse Recovery Time
IF
= I
R
= 30mA, I
RR
= 3.0mA,
RL
= 100
?
50
ns
Connection Diagram
3
1
12
3
L30
2
1
2
3
SOT-23
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